Samsung начнёт выпуск серверной памяти DDR5 по технологии HKMG

Samsung начнёт выпуск серверной памяти DDR5 по технологии HKMG

Компания Samsung завершила разработку оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 Гб с технологией HKMG (High-K Metal Gate). Это первая подобная память и по технологии в ней используются диэлектрики с высоким значением диэлектрической константы и металлизированные затворы. Предназначение новой памяти – серверные системы с поддержкой стандарта оперативной памяти DDR5. На подобную поддержку способны процессоры AMD EPYC (Genoa, Zen 4) и Intel Xeon (Sapphire Rapids).

Каждый модуль RDIMM оперативной памяти Samsung DDR5 объёмом 512 Гб получил по 32 чипа 16-гигабитными восьмислойными чипами памяти (8-Hi) по 16 Гб каждый. Какие скорости записи и чтения показывает новая память не раскрывается из-за ограничений в распространении информации по новым серверным платформам.

Особенность новой памяти в технологии HKMG, у которой применяются диэлектрики из материала с высоким значением диэлектрической постоянной. Это сделано для уменьшения утечек тока. Как говорит производитель, сниженный уровень энергопотребления модулей памяти DDR5 с технологией HKMG вместе с другими новшествами снижает энергопотребление на 13%. Вместе с этим, объем новой памяти в 512 Гб позволяет увеличить общий объём памяти с поддержкой 8-канального режима работы с 4 Тб до 8 Тб.

Samsung уже начала тестирование разные модули памяти стандарта DDR5 с серверными платформами партнёров.